OCXO Oven controlled Crystal Oscillators 恒溫晶振
一、應(yīng)用
通訊、航空、航天、**、移動通信、數(shù)字程控交換機、網(wǎng)絡(luò)傳輸、接入網(wǎng)、光傳輸、雷達、導(dǎo)航、電子對抗、無線通信、測試設(shè)備、鎖相環(huán)電路SDH、SONET、ATM、WLL、PCS基站、蜂窩基站、頻率合成器
二、主要技術(shù)指標(biāo)
1)Frequency Range 頻率范圍:1.00-160.00MHz
2)SC Cut OCXO AT Cut OCXO
3)Initial Calibration 頻率準確度: A ≤±0.5ppm @25℃ B ≤±0.1ppm @25℃
C ≤±0.05ppm @25℃ D ≤±0.01ppm @25℃
4)Frequency Adjustment 頻率調(diào)整: 1 ≥ ±0.5ppm 2 ≥ ±1.0ppm 3 ≥ ±3.0ppm
4 ≥ ±5.0ppm 5 ≥ ±7.0ppm 6 ≥ ±10ppm
5)Control Voltage壓控電壓 : 0 - 5V
6)Operating Temperature 工作溫度范圍: E 0-+50℃ F -10-+60℃ G -20-+70℃
H -30-+75℃ I -40-+75℃ J -40-+85℃
7)Frequency Stability 溫度頻率穩(wěn)定度: 1 ppb = ppm 1/1000
K ±0.1ppm L ±0.05ppm M ±0.03ppm N ±0.02ppm
O ±0.01ppm P ±0.03ppm Q ±0.005ppm R ±0.001ppm
8)Output Waveform 輸出波形: 1 HCMOS 2 TTL 3 ACMOS
4 Sine 輸出電平 ≥+2dBm ≥+5dBm @ 50?
諧波抑制 ≤-20dBc ≤-30dBc @ 50?
雜波抑制 ≤-70dBc ≤-75dBc @ 50?
5 Clipped Sine ≥1Vp-p 10k?//10pF
9)Supply Voltage 工作電壓范圍: S 3.3V T 5.0V U 12.0V W 15.0V
10)Power Consumption 功耗:Warm up 開機 ≤3.5W-7.0W
@25℃ 穩(wěn)定 ≤1.2W-3.5W
11)Phase Noise 相位噪聲:
Frequency |
10Hz |
100Hz |
1kHz |
10kHz |
100kHz |
10.0MHz |
–1120dBc/Hz |
–150dBc/Hz |
–160dBc/Hz |
–165dBc/Hz |
–170dBc/Hz |
10.0MHz |
–120dBc/Hz |
–140dBc/Hz |
–150dBc/Hz |
–155dBc/Hz |
–160dBc/Hz |
10.0MHz |
–115dBc/Hz |
–135dBc/Hz |
–145dBc/Hz |
–150dBc/Hz |
–155dBc/Hz |
10.0MHz |
–100dBc/Hz |
–130dBc/Hz |
–140dBc/Hz |
–145dBc/Hz |
–150dBc/Hz |
12)Ageing 頻率老化率: ±0.1ppm maximum in first year ±1.0ppm maximum for 10 years
±0.5ppm maximum in first year ±2.0ppm maximum for 10 years
13)Package Outline 封裝、尺寸:
N DIP 21*13*12mm O DIP 20*20*10mm P DIP 25*19*15mm Q DIP 30*30*16mm
R DIP 36*27*16mm S DIP 38*38*16mm T DIP 50*50*16mm U SMD 25*22*14mm
14)Storage Temperature 儲存溫度范圍: -55-+90℃
三、產(chǎn)品定型 RTO-10MHZ-SC A 1 J K 1 U N
|
頻率 |
晶體 |
準確度 |
頻率 調(diào)整 |
溫度范圍 |
穩(wěn)定性 |
波形 |
電壓 |
尺寸 |
RTO |
10 |
SC |
A |
1 |
J |
K |
1 |
U |
N |
RTO |
10MHZ |
SC cut |
±0.5ppm
|
±0.5ppm
|
-40-+85 ℃ |
±0.1ppm |
HCMOS |
12V |
DIP 21*13*12 mm |